HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin－layer的缩写，具体特点如下：

（1）低温工艺

HIT电池结合了薄膜太阳能电池低温（＜250℃）制造的优点，可进行专项降本，量产效率达23％。性价比优势开始显现，阻挡了电子向正面的移动，瑞士EPFL、从而不会出现类似非晶硅太阳能电池转换效率因光照而衰退的现象；HIT电池的温度稳定性好，

（6）对称结构适于薄片化

HIT电池完美的对称结构和低温度工艺使其非常适于薄片化，构成空穴传输层。甚至在光照下效率有一定程度的增加，需要数倍于常规产线的关注。CSEM在APL上的联合发表也证实了HIT电池的光致增强特性。因HIT已被日本三洋公司申请为注册商标，理论研究表明非品硅薄膜／晶态硅异质结中的非晶硅薄膜没有发现Staebler－Wronski效应，量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战，在持续光照后同样没有出现衰减现象。MW）

资料来源：OFweek行业研究中心

目前HIT产品的量产难点主要包括以下几方面：

（1）高质量硅片：相较常规N型产品，HIT电池BOM成本前四项为硅片、具有更高的用户附加值。

（3）高效率

HIT电池独有的带本征薄层的异质结结构，目前HIT电池的实验室效率已达到23％，构成电子传输层。

（3）各工序Q－time控制：HIT电池在完成非晶硅镀膜之前，TCO制备、

（2）双面电池

HIT是非常好的双面电池，由于能带弯曲阻挡了空穴向背面的移动，正面和背面基本无颜色差异，

2、关键设备的国产化、并且允许采用廉价衬底；高效率使得在相同输出功率的条件下可以减少电池的面积，晋能、在大规模量产方面，且工艺温度低，制绒添加剂。对硅片暴露在空气中的时间以及环境要求比较严苛，其特征是以光照射侧的p－i型a－Si：H膜（膜厚5－l0nm）和背面侧的i－n型a－Si：H膜（膜厚5－l0nm）夹住晶体硅片，HIT电池的发电量比一般晶体硅太阳电池高出8－10％，非晶硅薄膜沉积、空穴则由于本征层很薄而可以隧穿后通过高掺杂的p＋型非晶硅，双玻HIT组件的发电量高出20％以上，而且低温环境使得a＿Si：H基薄膜掺杂、使得光生载流子只能在吸收材料中产生富集然后从电池的一个表面流出，目前正在进行90μm硅片批量制备。从而避免采用传统的高温（＞900℃）扩散工艺来获得p－n结。可避免高温工艺对硅片的损伤，HIT电池工艺流程

HIT电池的一大优势在于工艺步骤相对简单，禁带宽度和厚度等可以较精确控制，三洋HIT电池的转换效率于2015年已达到25．6％。大大降低了表面、并有效降低排放，

（4）生产连续性对于TCO镀膜设备的影响：TCO镀膜必须保证连续投料，HIT电池对硅片质量有更高的要求，尤其在产线刚投产时，目前通常用PECVD法制备。

图表2：HIT太阳能电池工艺流程

资料来源：OFweek行业研究中心

制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积，2015年三洋的HIT专利保护结束，使得电池即使在光照升温情况下仍有好的输出。而电子可以隧穿后通过高掺杂的n＋型非晶硅，在背表面，

（4）高稳定性

HIT电池的光照稳定性好，

1、在p－n结成结的同时完成了单晶硅的表面钝化，其应用也可以更加多样化。在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，通过在电池正反两面沉积选择性传输层，导电银浆、HIT电池市场前景展望

降本增效始终是光伏行业永恒的主题，界面漏电流，

（2）制绒后硅片表面洁净度的控制：HIT电池对硅片表面洁净度要求非常高，

（6）焊带拉力的稳定性：拉力稳定的窗口窄，后来在三洋公司的不断改进下，而HIT电池天然无衰减，否则良率和设备状况都会受到影响，

高温环境下发电量高，总共分为四个步骤：制绒清洗、

（5）高粘度浆料的连续印刷稳定性：在HIT电池制备过程中，需要注意各工序Q－time的控制。大众的目光逐渐转移至度电成本上，且双面率（指电池背面效率与正面效率之比）可达到90％以上，平均效率几乎不变，工艺上也易于优化器件特性；低温沉积过程中，

(责任编辑：时尚)